[发明专利]一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811396497.8 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109400931B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 柏自奎;陈冲;徐卫林;周应山;顾绍金;陶咏真 申请(专利权)人: 武汉纺织大学
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08J9/26;C08L27/16;C08K3/22;H01L41/193;H01L41/45
代理公司: 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 代理人: 王敏锋
地址: 430200 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及取向多孔聚偏氟乙烯压电膜的制备方法,属于新材料制备技术领域。本发明采用将Fe3O4纳米磁性颗粒均匀分散在聚偏氟乙烯溶液之中形成聚偏氟乙烯复合溶液,然后将其置于磁场中流延成膜,磁场诱导Fe3O4纳米磁性颗粒聚集成均匀取向的圆锥体,随着溶剂的挥发,纳米磁性颗粒诱导聚偏氟乙烯β相结晶及在圆锥体面取向排布,形成Fe3O4/PVDF复合膜,将其干燥后用稀盐酸除去Fe3O4纳米磁性颗粒,获得取向多孔聚偏氟乙烯压电膜。本发明的目的在于克服现有制备技术中不能达到高β晶相转变以及其有序取向排布,得到的压电膜柔软性差的特点,提供一种操作简单,对制备条件与设备要求较低,所制备的取向多孔聚偏氟乙烯压电膜具有柔软特性及较高的压电常数与能量转换系数。
搜索关键词: 一种 取向 多孔 聚偏氟 乙烯 压电 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜,其特征在于:所述取向多孔聚偏氟乙烯压电膜具有均匀大小、取向一致、垂直膜面的圆锥状的孔,圆锥状孔的下部孔径为0.5μm‑3μm,圆锥状孔的上部孔径为0.1μm‑0.5μm,孔深小于或等于压电膜的厚度,压电膜厚度为50μm‑3000μm。
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