[发明专利]一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜及其制备方法有效
申请号: | 201811396497.8 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN109400931B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 柏自奎;陈冲;徐卫林;周应山;顾绍金;陶咏真 | 申请(专利权)人: | 武汉纺织大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08J9/26;C08L27/16;C08K3/22;H01L41/193;H01L41/45 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 430200 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明涉及取向多孔聚偏氟乙烯压电膜的制备方法,属于新材料制备技术领域。本发明采用将Fe |
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搜索关键词: | 一种 取向 多孔 聚偏氟 乙烯 压电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜,其特征在于:所述取向多孔聚偏氟乙烯压电膜具有均匀大小、取向一致、垂直膜面的圆锥状的孔,圆锥状孔的下部孔径为0.5μm‑3μm,圆锥状孔的上部孔径为0.1μm‑0.5μm,孔深小于或等于压电膜的厚度,压电膜厚度为50μm‑3000μm。
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