[发明专利]氧化钽基阻变存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811396605.1 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109411602A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 徐灵芝;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钽基阻变存储器，存储单元包括阻变材料，阻变材料由氧化钽层组成，氧化钽层中的氧为通过氧离子注入工艺注入到钽层中，通过氧离子注入工艺使氧化钽层具有氧的深度和浓度被控制的结构，氧的深度通过氧离子注入的注入能量控制，氧的浓度通过氧离子注入的注入浓度控制，通过对氧的深度和浓度的控制改善存储单元的性能。本发明还公开了一种氧化钽基阻变存储器的制造方法。本发明能实现对氧化钽阻变材料中的氧的深度和浓度进行精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 氧离子 阻变存储器 氧化钽层 氧化钽基 阻变材料 存储单元 浓度控制 注入能量 氧化钽 钽层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氧化钽基阻变存储器，其特征在于：氧化钽基阻变存储器的存储单元包括阻变材料，所述阻变材料由氧化钽层组成，所述氧化钽层中的氧为通过氧离子注入工艺注入到钽层中，通过所述氧离子注入工艺使所述氧化钽层具有氧的深度和浓度被控制的结构，氧的深度通过所述氧离子注入的注入能量控制，氧的浓度通过所述氧离子注入的注入浓度控制，通过对氧的深度和浓度的控制改善所述存储单元的性能。
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