[发明专利]一种硅-铌酸锂异质集成扫描芯片及其制备方法、应用

摘要

本发明提出了一种硅‑铌酸锂异质集成扫描芯片，包括铌酸锂衬底、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层；二氧化硅包层附在铌酸锂衬底上；芯层包括光分束单元、弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列；光分束单元、弯曲波导和出射波导阵列位于上述二氧化硅包层内；热光移相器置于二氧化硅包层上；热光移相器位于所述弯曲波导上；光分束单元包括多个基于硅波导的分束器。本发明将硅波导基片上与铌酸锂材料的异质集成，基于光学相控阵技术，采用热光调制从而改变波导折射率，进而使光束相位变化，出射方向发生偏转，从而获取1520纳米～1620纳米光通信波段的高速低损耗光调制芯片结构。本发明还提出了该芯片的制备方法和应用。

主权项

1.一种硅‑铌酸锂异质集成扫描芯片，其特征在于，包括铌酸锂衬底、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层；所述二氧化硅包层附在所述铌酸锂衬底上；所述芯层包括光分束单元、弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列；光束依次经过光分束单元、弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列，实现均匀分束、相位调制以及光束偏转；所述光分束单元、弯曲波导和出射波导阵列位于所述二氧化硅包层内；所述热光移相器置于所述二氧化硅包层上；所述热光移相器位于所述弯曲波导上；所述光分束单元包括多个基于硅波导的分束器；所述分束器的工作带宽为1520nm～1620nm。