[发明专利]校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811396840.9 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109828433B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 文晟墉;李受龙;金昌焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/36;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明构思提供了校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法。该校正掩模布局的方法包括：提供包括第一图案的掩模布局，每个第一图案具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸；获得关于晶片的区域的形貌数据；使用形貌数据生成散焦图；以及基于散焦图校正掩模布局。生成散焦图包括分别为掩模布局的多个子区域设置第二CD值。第二CD值可以基于形貌数据设置。基于散焦图校正掩模布局包括将第一图案的尺寸校正为与第二CD值相关。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 布局 方法 使用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种校正掩模布局的方法，该方法包括：提供包括第一图案的掩模布局，所述第一图案的每个具有与第一临界尺寸(CD)值相关的尺寸；获得关于晶片的区域的形貌数据；使用所述形貌数据生成散焦图；以及基于所述散焦图校正所述掩模布局，其中生成所述散焦图包括分别为所述掩模布局的多个子区域设置第二临界尺寸值，其中所述第二临界尺寸值基于所述形貌数据设置，其中基于所述散焦图校正所述掩模布局包括将所述第一图案的所述尺寸校正为与所述第二临界尺寸值相关。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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