[发明专利]LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811397647.7 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109378372A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 康建;刘伟;郑远志;梁旭东;陈向东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片结构及其制作方法，LED芯片结构包括从下往上依次设置的衬底、外延层、反射金属层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层，电流阻挡层包覆反射金属层；电流阻挡层部分位于外延层上。此结构是将反射电极层中的反射金属层移植到电流阻挡层中，使得反射金属层的正面和侧面全部包裹在电流阻挡层中，以隔绝外界杂质的侵入，避免反射金属层与氧元素、硫元素接触，防止被氧化，同时，在芯片制作过程中，高温融合透明导电层时，由于反射金属层没有与透明导电层直接接触，不会有电流通过反射金属层，反射金属层不会主动产生热量，进而提高了LED芯片结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 反射金属层 电流阻挡层 透明导电层 外延层 芯片制作过程 反射电极层 金属电极层 电流通过 高温融合 外界杂质 依次设置 硫元素 氧元素 包覆 衬底 制作 侵入 移植 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括从下往上依次设置的衬底、外延层、反射金属层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层，所述电流阻挡层包覆所述反射金属层。
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