[发明专利]具有PD偏置图案的图像传感器有效
| 申请号： | 201811398279.8 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110299370B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴先镐 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有PD偏置图案的图像传感器。公开了一种图像传感器。该图像传感器可以包括：光感测区域，该光感测区域在基板中并且被配置为响应于所述光感测区域上的入射光而产生光电子；偏置图案，所述偏置图案被布置成包围所述光感测区域并且包含导电材料；浮置扩散区域，该浮置扩散区域处于所述光感测区域的中心，以存储所述光感测区域所产生的光电子；以及传输门，所述传输门与所述浮置扩散区域部分地交叠并且能够进行操作以将所述光感测区域所产生的光电子传送到所述浮置扩散区域。所述光感测区域和所述偏置图案彼此电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 pd 偏置 图案 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，该图像传感器包括：光感测区域，该光感测区域在基板中并且被配置为响应于所述光感测区域上的入射光而产生光电子；偏置图案，所述偏置图案被布置成包围所述光感测区域并且包含导电材料；浮置扩散区域，该浮置扩散区域处于所述光感测区域的中心，以存储所述光感测区域所产生的光电子；以及传输门，所述传输门与所述浮置扩散区域部分地交叠并且能够进行操作以将所述光感测区域所产生的光电子传送到所述浮置扩散区域，其中，所述光感测区域和所述偏置图案彼此电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
