[发明专利]一种二氧化锗的提纯方法在审
| 申请号： | 201811398997.5 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109205660A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;聂玉 | 申请（专利权）人： | 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421001 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化锗的提纯方法，包括以下步骤：(1)将氧化钙加入到二氧化锗溶液中，得到溶液A；(2)在溶液A中加入硼氢化钾，得到溶液B；(3)在溶液B中加入醋酸，得到锗烷气体；(4)将锗烷气体加热，得到高纯度二氧化锗。本发明能简化工艺，降低生产成本，提高二氧化锗纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化锗 锗烷气体 提纯 醋酸 硼氢化钾 高纯度 氧化钙 加热 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化锗的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将氧化钙加入到二氧化锗溶液中，得到溶液A；(2)在溶液A中加入硼氢化钾，得到溶液B；(3)在溶液B中加入醋酸，得到锗烷气体；(4)将锗烷气体加热，得到高纯度二氧化锗。
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