[发明专利]多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201811399887.0 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111211223A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;吴亭亭;甄超;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能光伏电池领域，具体为一种多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法。利用模板辅助方法在透明导电基体上制备n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜，通过高温晶化、扩孔等一系列处理后，利用电化学沉积方法在n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜基底上沉积p型(或n型)氧化物薄膜，得到多孔单晶嵌套的全氧化物p‑n结，最后在表面蒸镀金属电极构建多孔单晶嵌套的全氧化物太阳能电池。本发明提供一种多孔单晶嵌套的全氧化物p‑n结构筑方法，并首次将该结构应用于全金属氧化物太阳能电池领域，展现出优异的光伏效应。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 嵌套 氧化物 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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