[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201811400962.0 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109671779B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，其中，所述方法包括：通过刻蚀在预设衬底上沉积的介质层和绝缘层，形成第一通道；在所述第一通道内形成具有第一预设厚度的高压栅氧化层；刻蚀掉所述绝缘层；在与刻蚀掉所述绝缘层的位置对应的区域，形成具有第二预设厚度的低压栅氧化层，其中，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度；在所述高压栅氧化层之上形成栅极，在所述低压栅氧化层之下分别形成源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：通过刻蚀在预设衬底上沉积的介质层和绝缘层，形成第一通道；在所述第一通道内形成具有第一预设厚度的高压栅氧化层；刻蚀掉所述绝缘层；在与刻蚀掉所述绝缘层的位置对应的区域，形成具有第二预设厚度的低压栅氧化层，其中，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度；在所述高压栅氧化层之上形成栅极，在所述低压栅氧化层之下分别形成源极和漏极。
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