[发明专利]一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法有效
申请号: | 201811401607.5 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN109660263B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 童薇;刘景宁;冯丹;赵雨桐;覃鸿巍;赵威 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H03M13/11 | 分类号: | H03M13/11;G11C29/42 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法,包括:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,根据所获得的低页数据和待译码数据确定存储单元的阈值电压范围;根据所确定的阈值电压范围计算对数似然比;以所计算的对数似然比为译码输入,对待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。本发明能够提高译码成功率、减少译码迭代次数,从而达到降低译码延迟、提高闪存读性能的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 mlc nand 闪存 ldpc 译码 方法 | ||
【主权项】:
1.一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对所述待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,并根据所述低页数据对所述待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。
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