[发明专利]一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法有效

专利信息
申请号: 201811401607.5 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109660263B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 童薇;刘景宁;冯丹;赵雨桐;覃鸿巍;赵威 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H03M13/11 分类号: H03M13/11;G11C29/42
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法,包括:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,根据所获得的低页数据和待译码数据确定存储单元的阈值电压范围;根据所确定的阈值电压范围计算对数似然比;以所计算的对数似然比为译码输入,对待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。本发明能够提高译码成功率、减少译码迭代次数,从而达到降低译码延迟、提高闪存读性能的目的。
搜索关键词: 一种 适用于 mlc nand 闪存 ldpc 译码 方法
【主权项】:
1.一种适用于MLC NAND闪存的LDPC码译码方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)确定待译码数据所属页的类型,若为低页,则转入步骤(2);否则,转入步骤(3);(2)对所述待译码数据进行LDPC码译码,并保存译码结果;译码结束;(3)获得同一单元中译码后的低页数据,并根据所述低页数据对所述待译码数据进行LDPC码译码;译码结束。
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