[发明专利]一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法有效
| 申请号： | 201811401688.9 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545692B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 郝林坡;郭万里 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法，用于晶圆键合工艺中，其中包括：提供一具有芯片的器件晶圆与一承载晶圆；通过一夹具夹持叠置的器件晶圆及承载晶圆的边缘，并通过施加预设压力至器件晶圆与承载晶圆的中心区域上，进行晶圆键合工艺，以形成键合晶圆；根据器件晶圆上的芯片数量，控制夹具的释放时间。本发明的技术方案有益效果在于：在晶圆键合的过程中，根据器件晶圆上的芯片数量，控制夹具的释放时间，从而降低键合晶圆的边缘的扭曲度，提高后续光刻制程或刻蚀制程穿透晶圆的对准精度，进一步提高键合晶圆的产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 晶圆键合 边缘 扭曲 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法，用于晶圆键合工艺中，其特征在于，包括：提供一具有芯片的器件晶圆与一承载晶圆；通过一夹具夹持叠置的所述器件晶圆及所述承载晶圆的边缘，并通过施加预设压力至所述器件晶圆与所述承载晶圆的中心区域上，进行所述晶圆键合工艺，以形成键合晶圆；根据所述器件晶圆上的芯片数量，控制所述夹具的释放时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
