[发明专利]像素单元、图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201811402972.8 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN109346496A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 张超 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及像素单元、图像传感器及其制造方法。根据本公开的一个方面,提供了一种像素单元,所述像素单元形成在半导体衬底中,所述像素单元包括:光电二极管,能够响应于入射光而生成电荷;浮动扩散部,位于光电二极管的至少一部分之上;以及势垒区,位于光电二极管与浮动扩散部之间,以将光电二极管和浮动扩散部隔离开;其中势垒区被配置用于控制由光电二极管生成的电荷从光电二极管到浮动扩散部的传输。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 像素单元 浮动扩散部 图像传感器 电荷 势垒区 入射光 衬底 半导体 制造 隔离 传输 响应 配置 | ||
【主权项】:
1.一种像素单元,其特征在于,所述像素单元形成在半导体衬底中,所述像素单元包括:光电二极管,能够响应于入射光而生成电荷;浮动扩散部,位于所述光电二极管的至少一部分之上;以及势垒区,位于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间,以将所述光电二极管和所述浮动扩散部隔离开;其中所述势垒区被配置用于控制由所述光电二极管生成的电荷从所述光电二极管到所述浮动扩散部的传输。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811402972.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:相位对焦图像传感器及其形成方法
- 下一篇:微显示器件及其制备方法、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的