[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201811404214.X | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN109841568B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 植木笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,能够防止在晶片的内部发生了反射、散射的激光束对器件造成破坏。该晶片的加工方法包含如下的步骤:改质层形成步骤,在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层;以及分割步骤,对晶片赋予力而以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割,改质层形成步骤包含:往路改质层形成步骤;返路改质层形成步骤;以及相移掩模反转步骤,在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前,或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前,使该相移掩模反转,以使得向晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,使用激光加工装置对在由多条分割预定线划分的正面侧的各区域内形成有器件的晶片进行加工,该激光加工装置具有:保持构件,其对晶片进行保持;激光束照射构件,其对该保持构件所保持的晶片照射具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层;以及加工进给构件,其使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动,该晶片的加工方法的特征在于,该激光束照射构件包含:振荡器,其脉冲振荡出该激光束;聚光器,其对该振荡器所振荡出的该激光束进行会聚而对晶片进行照射;以及相移掩模,其配置在该振荡器与该聚光器之间,使向该聚光器引导的该激光束的一部分与剩余的一部分之间形成180度的相位差,以使得向该晶片照射的该激光束的强度分布具有在X轴方向上分离的两个峰,该晶片的加工方法具有如下的步骤:改质层形成步骤,一边按照使该激光束会聚于晶片的内部的条件从晶片的背面侧向晶片的与该分割预定线对应的区域照射该激光束,一边使该保持构件和该激光束照射构件相对地在X轴方向上移动,从而在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层;以及分割步骤,在实施了该改质层形成步骤之后,对晶片赋予力而以该改质层为起点沿着该分割预定线对晶片进行分割,该改质层形成步骤包含如下的步骤:往路改质层形成步骤,一边使该激光束照射构件相对于该保持构件向该X轴方向的一侧相对地移动,一边对晶片照射该激光束;返路改质层形成步骤,一边使该激光束照射构件相对于该保持构件向该X轴方向的另一侧相对地移动,一边对晶片照射该激光束;以及相移掩模反转步骤,在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前,或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前,使该相移掩模反转,以使得向该晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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