[发明专利]一种低成本太阳能电池背面抛光工艺

摘要

本发明公开了一种低成本太阳能电池背面抛光工艺，包括以下流程：硅片上料‑清洗硅片表面油污‑硅片表面织构化及抛光‑纯水漂洗‑碱洗‑二次纯水漂洗‑酸洗‑三次纯水漂洗‑吹干；本发明该工艺简单易行，背面抛光的效果好，抛光后的硅片具有良好的光学增益及显著的钝化效果。

主权项

1.一种低成本太阳能电池背面抛光工艺，其特征在于，包括以下流程：硅片上料‑清洗硅片表面油污‑硅片表面织构化及抛光‑纯水漂洗‑碱洗‑二次纯水漂洗‑酸洗‑三次纯水漂洗‑吹干，其中：T1：硅片上料，选用多晶金刚线切割硅片，硅片厚度为180um；T2：刻蚀槽制绒，将硅片放置刻蚀槽控制硅片上下表面的反应速度，使得硅片绒面一面反射率在21%‑23%，硅片背面非绒面进行抛光，反射率控制在40%‑55%；制绒槽溶液的制作，具体为：制绒槽溶液为HF、HNO3及辅助溶液的混合液，其中，所述HF酸初始配比占制绒槽溶液总体积的14‑16%，所述HNO3初始配比占制绒槽溶液总体积的42%‑48%，所述辅助溶液配比占制绒槽溶液总体积的0.8%‑1%，其余为纯水；T3：纯水漂洗，使用去离子水对硅片进行清洗，清洗硅片残留的酸液；T4：碱洗，使用碱洗溶液对硅片进行碱洗，碱溶液浓度为4%‑6%，温度控制在16℃‑24℃；T5：二次纯水漂洗，使用去离子水对经T4处理后的硅片进行清洗，清洗硅片残留的碱液；T6：酸洗，用酸液对硅片进行清洗，所述的酸液为HF和HCL的混合液，其中，HF的浓度为4%‑6%，HCL的浓度为8%‑12%，酸洗时温度为18℃‑22℃；T7：三次纯水漂洗，使用去离子水对经T6处理后的硅片进行清洗，去除硅片残留酸液；T8：吹干，用加热后的压缩空气对硅片进行吹干。