[发明专利]磁存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811405048.5 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109841730A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 金相局;权五益;李同规;洪京一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了磁存储器件及其制造方法。一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成磁隧道结层；在磁隧道结层上顺序地形成掩模图案和顶电极图案；采用掩模图案和顶电极图案作为第一蚀刻掩模图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；在掩模图案的侧表面、顶电极图案的侧表面和磁隧道结图案的侧表面上形成保护层，该保护层延伸以覆盖掩模图案的第一顶表面；去除保护层的在掩模图案的第一顶表面上的部分以暴露掩模图案的第一顶表面；以及去除掩模图案以暴露顶电极图案的第二顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模图案 图案 顶表面 顶电极 磁存储器件 保护层 侧表面 磁隧道结层 磁隧道结 去除 制造 蚀刻掩模图案 覆盖掩模 隧道结层 暴露 化磁 基板 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁存储器件的方法，该方法包括：在基板上形成磁隧道结层；在所述磁隧道结层上顺序地形成掩模图案和顶电极图案；采用所述掩模图案和所述顶电极图案作为第一蚀刻掩模图案化所述磁隧道结层以形成磁隧道结图案；在所述掩模图案的侧表面、所述顶电极图案的侧表面和所述磁隧道结图案的侧表面上形成保护层，所述保护层延伸以覆盖所述掩模图案的第一顶表面；去除所述保护层的在所述掩模图案的所述第一顶表面上的部分以暴露所述掩模图案的所述第一顶表面；以及去除所述掩模图案以暴露所述顶电极图案的第二顶表面。
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