[发明专利]共晶键合的方法有效
| 申请号： | 201811405166.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111223766B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种共晶键合的方法，包括：1)在所述第一、第二晶圆表面形成第一、第二键合材料；2)将第一、第二键合材料对准；3)升温至第一温度下保持第一时间，以去除水气；4)升温至第二温度并施加第一压力，保持第二时间进行预键合；以及5)升温至第三温度并施加第二压力，保持三第时间，在保持所述第三时间的过程中，对所述第一晶圆和所述第二晶圆施加一快速升降温的温度脉冲，或施加一压力脉冲，以使所述第一键合材料与所述第二键合材料实现共晶键合。本发明通过在共晶键合过程中，施加一快速升降温的温度脉冲或施加一压力脉冲，使得键合材料尽快地产生足够的熔融液体，加速共晶键合过程，避免键合空洞的产生，同时，该温度脉冲或压力脉冲时间足够短，可以大大减小熔融液体的扩散时间，避免溢流现象的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 共晶键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
