[发明专利]一种硅基底长波通红外滤光片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811405415.1 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110146948B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵中亮 | 申请（专利权）人： | 上海欧菲尔光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200434 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基底上的长波通红外滤光片，该滤光片使用了锗（Ge）作为高折射率镀膜材料、硫化锌（ZnS）作为低折射率镀膜材料，使用PVD方法进行光学薄膜镀制，并且采用离子源辅助沉积与合适的材料蒸发等特定工艺条件，在基底的两个表面分别沉积28层和44层非规整的膜层。该滤光片可以使得在1~7μm波长区间内基本不透光，透过率1%，在8~14μm波长区间具有良好的透光效果，平均透过率＞85%。可以有效提高非制冷红外焦平面探测器的光学效率，并且适合在晶圆级光学封装窗口中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 长波 通红 滤光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基底上的长波通红外滤光片，其结构为：在基底的正面沉积正面膜系（1），在基底的另一面沉积反面膜系（3），其特征在于：所述的正面膜系（1）的膜系结构为：基底/0.137H 0.284L 0.348H 0.495L 0.258H 0.564L 0.192H 0.547L 0.294H 0.492L 0.312H 0.463L 0.208H 0.606L 0.318H 0.494L 0.502H 0.614L 0.310H 0.771L 0.464H 0.488L 0.367H 0.980L 0.296H 0.440L 0.602H 1.254L/空气。
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