[发明专利]微流控芯片和分析装置有效
| 申请号： | 201811406603.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109261234B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 高山;王志东;张俊瑞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微流控芯片和分析装置，涉及微流控技术领域，主要目的是用于简化微流控芯片结构。本发明的主要技术方案为：一种微流控芯片，包括：衬底基板，所述衬底基板的一侧设有TFT阵列层，所述TFT阵列层中具有呈阵列分布的多个驱动单元，每个所述驱动单元包括驱动晶体管和电容模块，所述电容模块的第一电极和第二电极之间具有电介质层，所述电介质层用于产生热量，所述驱动晶体管的第一极连接于所述TFT阵列层的数据线，所述驱动晶体管的栅极连接于所述TFT阵列层的扫描线，所述驱动晶体管的第二极连接于所述第一电极，所述第二电极接地。 | ||
| 搜索关键词： | 微流控 芯片 分析 装置 | ||
【主权项】：
1.一种微流控芯片，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板的一侧设有TFT阵列层，所述TFT阵列层中具有呈阵列分布的多个驱动单元，每个所述驱动单元包括驱动晶体管和电容模块，所述电容模块的第一电极和第二电极之间具有电介质层，所述电介质层用于产生热量，所述驱动晶体管的第一极连接于所述TFT阵列层的数据线，所述驱动晶体管的栅极连接于所述TFT阵列层的扫描线，所述驱动晶体管的第二极连接于所述第一电极，所述第二电极接地。
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