[发明专利]单晶电池片切割方法、单晶电池片、光伏组件及制备方法在审
申请号: | 201811406932.0 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN111223949A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 尹丙伟;孙俊;丁士引;杨蕾;周福深 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/036 | 分类号: | H01L31/036;H01L31/042;H01L31/18;B28D1/22;B28D5/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春;王菲 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于单晶电池片的切割方法,所述单晶电池片通过以下方式制备:提供晶向为100的晶圆棒(1)作为原料;使所述晶圆棒(1)的生长棱线(2)与开方机晶托(3)的相邻的晶托棱线(4)沿周向间隔45度角,然后将所述晶圆棒(1)开方、切片,获得单晶硅片,所述单晶硅片的四个边缘的晶向为110;将所述单晶硅片制成为单晶电池片(5),其特征在于,所述切割方法包括如下步骤:垂直于所述单晶电池片的边缘切割出削弱部分;施加机械应力,所述单晶电池片能沿着垂直于所述边缘的削弱部分方向裂开。此外,本发明还涉及一种单晶电池片、一种用于光伏组件的制备方法和通过这种制备方法制成的光伏组件。 | ||
搜索关键词: | 电池 切割 方法 组件 制备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都晔凡科技有限公司,未经成都晔凡科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811406932.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的