[发明专利]一种单晶硅摆片的制作方法在审
| 申请号： | 201811407172.5 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109580986A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 赵坤帅;余才佳;雷宏杰;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 |
| 主分类号： | G01P15/02 | 分类号： | G01P15/02 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 710076 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于加速度计工艺技术领域，为一种单晶硅摆片的制作方法，包含以下步骤：本发明将单晶硅片(1)氧化形成氧化层(2)，双面刻蚀出挠性梁窗口(3)，再将其双面沉积氮化硅(4)，释放单面挠性梁窗口(5)，进行湿法刻蚀，形成挠性梁厚度结构(6)，之后在未湿法刻蚀面光刻制作摆片结构图形(8)，进行干法刻蚀，形成摆片外形结构(9)与挠性梁结构(6)。采用干湿法组合工艺制作单晶硅摆片，结合了湿法刻蚀工艺纵向刻蚀精度高和干法刻蚀高深宽比的优势工艺特点，适宜制作小结构、复杂结构、异性结构，此外，本发明工艺简单，可批量生产制作，具有较强的工艺一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 摆片 挠性梁 单晶硅 制作 湿法刻蚀 干法刻蚀 工艺技术领域 工艺一致性 单晶硅片 复杂结构 高深宽比 工艺特点 厚度结构 加速度计 结构图形 双面沉积 双面刻蚀 外形结构 异性结构 组合工艺 氮化硅 干湿法 氧化层 光刻 刻蚀 释放 生产 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅摆片的制作方法，包含以下步骤：将单晶硅片(1)氧化，形成氧化层(2)，然后双面刻蚀出挠性梁窗口(3)；在所述硅片双面沉积氮化硅(4)，释放单面挠性梁窗口(5)；采用湿法刻蚀，将所述硅片刻蚀出挠性梁结构(6)；在所述硅片未湿法刻蚀面光刻制作摆片结构图形(8)；采用干法刻蚀，刻蚀所述硅片，形成摆片外形结构(9)与挠性梁结构(6)。
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