[发明专利]一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法

摘要

本发明属于SBD技术领域，提供一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法，包括如下步骤：制作AlGaN/GaN异质结外延层‑制作图形化的AlGaN层‑形成欧姆电极‑形成肖特基电极‑制作AlN绝缘介质层‑制作焊盘电极；本发明的SBD倒装芯片采用蓝宝石衬底，可降低芯片的制作成本，采用高热导率的AlN薄膜层作为绝缘层，大幅度改善了因蓝宝石衬底导热系数较低导致倒装SBD芯片的系统热阻过高的问题，满足大功率的应用需求。

主权项

1.一种GaN基SBD倒装芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一. 提供蓝宝石衬底（1），并在蓝宝石衬底（1）上依次生长GaN层（2）、AlGaN层（3）；步骤二. 利用正性光刻胶掩膜技术，制作掩膜图形，再通过ICP刻蚀技术，对AlGaN层（3）进行刻蚀，得到图形化的AlGaN层（3）；步骤三. 利用负性光刻胶掩膜技术，制作用于得到欧姆电极（4）的掩膜图形，并通过电子束蒸发，在AlGaN层（3）和GaN层（2）上淀积金属层，所述金属层分别与GaN层（2）、AlGaN层（3）欧姆接触，得到欧姆电极（4）；步骤四. 利用负性光刻胶掩膜技术，制作用于得到肖特基电极（5）的掩膜图形，并通过电子束蒸发，在AlGaN层（3）上淀积金属层，所述金属层与AlGaN层（3）肖特基接触，得到肖特基电极（5）；步骤五. 利用PVD溅射技术，在器件表面淀积高热导AlN绝缘介质层（6），并通过正性光刻胶掩膜技术和ICP刻蚀技术，对高热导AlN绝缘介质层（6）进行刻蚀，用于引出欧姆电极（4）和肖特基电极（5）的接触孔；步骤六. 利用负性光刻胶掩膜技术，制作负焊盘电极层7图形和正焊盘电极层8的掩膜图形，并通过电子束蒸发和热阻蒸发技术，在接触孔内制作得到用于引出欧姆电极（4）的负焊盘电极层（7）和用于引出肖特基电极（5）的正焊盘电极层（8）；步骤七. 利用减薄、研磨设备，对蓝宝石衬底（1）的背面进行减薄，使晶圆减薄到100~200um，完成GaN基SBD倒装芯片的制作。