[发明专利]一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路在审
| 申请号： | 201811408651.9 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109445507A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 段权珍;丁月民;黄胜明;李素文;张国辉;张学涛 | 申请（专利权）人： | 天津三源兴泰微电子技术有限公司;天津理工大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙) 11684 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 300000 天津市西青区西青经*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极连接电源VDD。本发明可以获得较宽频域内的高PSRR(电源抑制比)。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 电阻 运算放大器 带隙基准电路 电容 发射极 高电源 集电极 宽频率 抑制比 电源抑制比 反相输入端 正向输入端 并联连接 源极连接 栅极相连 阻值相等 宽频域 输出点 输出端 漏极 串联 电源 | ||
【主权项】：
1.一种宽频率内高电源抑制比的带隙基准电路，其特征在于，包括运算放大器VG、三极管Q0和Q1、MOS管M0，电阻R0、R1和R2、电容C0，所述运算放大器VG的正向输入端记为VP点，反相输入端记为VN点，运算放大器VG的输出端与MOS管M0的栅极相连,MOS管M0的漏极输出点记为VBG点，两个阻值相等的电阻R1分别连接于VBG点\VP点和VBG点/VN点之间，所述电阻R2和电容C0串联后与两个R1分别并联连接，电阻R0的两端分别与VP点和三极管Q0的发射极相连，三极管Q0和Q1的基极分别与各自的集电极相连，且三极管Q0和Q1的集电极相连接，三极管Q1的发射极与VN点相连，所述MOS管M0的源极连接电源VDD。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三源兴泰微电子技术有限公司;天津理工大学，未经天津三源兴泰微电子技术有限公司;天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811408651.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
