[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审

申请号：	201811409840.8	申请日：	2018-11-23
公开（公告）号：	CN109411354A	公开（公告）日：	2019-03-01
发明（设计）人：	赵背生	申请（专利权）人：	深圳真茂佳半导体有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/423
代理公司：	深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232	代理人：	刘抗美
地址：	518000 广东省深圳市西***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本公开提供了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件制作方法包括：在半导体衬底(101)上形成的沟槽(112)的底部和壁形成第一隔离层(116)；在隔离层(116)上沉积半导体材料，形成屏蔽栅(SG)，通过光刻掩模保留半导体材料形成屏蔽栅(SG)的引出栅(DG)；在屏蔽栅(SG)之上形成第二隔离层(145)；在第二隔离层(145)上顺序形成控制栅(CG)和源极(S)；在形成高频半导体器件的情况下和形成可靠型半导体器件的情况下，分别将将引出栅(DG)与源极(S)接合、和与控制栅(CG)接合。本公开通过采用屏蔽栅双结构，使用在高频应用时通过使屏蔽栅和源极相连实现低栅漏电容；使用在低频应用时通过屏蔽栅和控制栅相连实现大漏极电流和高可靠性。
搜索关键词：	屏蔽栅半导体器件隔离层控制栅源极接合制作半导体材料沉积半导体材料高频半导体器件低频应用高可靠性高频应用光刻掩模漏极电流顺序形成壁形成漏电容双结构衬底低栅半导体保留
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【主权项】：

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底(101)上形成的沟槽(112)的底部和壁形成第一隔离层(116)；在第一隔离层(116)上沉积半导体材料，形成屏蔽栅(SG)，通过光刻掩模保留半导体材料形成屏蔽栅(SG)的引出栅(DG)；在屏蔽栅(SG)之上形成第二隔离层(145)；在第二隔离层(145)上顺序形成控制栅(CG)和源极(S)；在形成高频半导体器件的情况下和形成可靠型半导体器件的情况下，分别将引出栅(DG)与源极(S)接合、和与控制栅(CG)接合。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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