[发明专利]一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法

摘要

本发明涉及一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，该方法通过在单根GaSb纳米线两侧用电子束光刻技术制备ITO结构图形，对ITO材料两端施加电场并对电场进行调节，实现对ITO材料表面等离子体共振频率的调节，通过对ITO材料表面等离子体共振频率的调节，实现改变GaSb纳米线探测器的特征响应波长，从而实现对GaSb纳米线探测器响应波长的连续调节。本发明所提出的方法采用GaSb基纳米线作为探测器的主体，采用ITO图形结构产生表面等离子体，在ITO图形结构上下两端施加电场，通过调节电场强度对ITO材料的介电常数进行改变，进而调节ITO材料的共振频率，实现对GaSb基纳米线探测器器件特征响应波长的调节。

主权项

1.一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，包括：单根GaSb纳米线，GaSb纳米线两端的Cr/Au电极，Si衬底，Si衬底表面自然氧化层SiO2层，PECVD沉积在ITO薄膜之外区域的SiO2层，ITO规则周期图形薄膜层，ITO薄膜表面Au正电极，Si衬底背面用于在ITO材料上施加电场的Ni/Au负电极，其特征在于，这种方法采用电子束光刻技术将ITO规则周期图形结构制备在单根GaSb纳米线两侧，通过在ITO材料两侧施加电场改变ITO材料的表面等离子体共振频率，通过对ITO两端电场的调节，实现ITO材料表面等离子体共振频率的调节，进而改变GaSb纳米线探测器的特征响应波长，从而实现对GaSb纳米线探测器响应波长的连续调节。