[发明专利]一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法，主要步骤有：1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂；2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对键合；3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂；4)将超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对键合；5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离；6)制备集成互连结构；7)进行键合集成工艺；8)将集成后的晶圆与第二载片分离。本发明通过两种不同软化温度的临时键合粘附剂以及两片临时载片的搭配使用，利用临时键合和解键合工艺，保证超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中均有临时载片支撑，有效降低集成工艺中裂片的风险。

主权项

1.一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂；2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对进行键合；3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂；4)将粘附第一临时载片的超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对进行键合；5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离，并清洗超薄半导体晶圆正面；6)制备集成互连结构；7)进行键合集成工艺；8)将集成后的超薄半导体晶圆与第二临时载片进行分离。