[发明专利]一种应用刻划机制作平面双闪耀光栅的方法有效

专利信息
申请号: 201811414462.2 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109307900B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 糜小涛;丛敏;张善文;于宏柱;于海利;吉日嘎兰图;李晓天;齐向东;巴音贺希格 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 曹卫良
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及衍射光栅制作技术领域,特别涉及一种应用刻划机制作平面双闪耀光栅的方法;本发明先将调整好的第一光栅刻刀和第二光栅刻刀分别安装在刻划机上的第一光栅刻划刀架系统和第二光栅刻划刀架系统上;将待刻划的光栅基底安装在刻划机上的工作台;调整第一光栅刻划刀架系统和第二光栅刻划刀架系统;分别调整第一光栅刻划刀架系统上用于控制第一光栅刻刀的第一抬落接近开关和第二光栅刻划刀架系统上用于控制第二光栅刻刀的第二抬落接近开关,从而调节第一光栅刻刀和第二光栅刻刀的光栅刻划区域在光栅基底上的位置、刻划区域面积以及两块刻划光栅区域之间的间隙Δx;启动刻划机,进行平面双闪耀光栅的制作。
搜索关键词: 一种 应用 刻划 机制 平面 闪耀 光栅 方法
【主权项】:
1.一种应用刻划机制作平面双闪耀光栅的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、将调整好的具有闪耀角θ1的第一光栅刻刀和具有闪耀角θ2的第二光栅刻刀分别安装在刻划机上的第一光栅刻划刀架系统和第二光栅刻划刀架系统上;步骤S2、将待刻划的光栅基底安装在刻划机上的工作台;步骤S3、调整第一光栅刻划刀架系统和第二光栅刻划刀架系统,使得其满足设定的刻线误差的要求;步骤S4、分别调整第一光栅刻划刀架系统上用于控制第一光栅刻刀的第一抬落接近开关和第二光栅刻划刀架系统上用于控制第二光栅刻刀的第二抬落接近开关,从而调节第一光栅刻刀和第二光栅刻刀的光栅刻划区域在光栅基底上的位置、刻划区域面积以及两块刻划光栅区域之间的间隙Δx;步骤S5、启动刻划机,进行平面双闪耀光栅的制作。
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