[发明专利]晶粒检测方法及系统在审
| 申请号： | 201811415461.X | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109585322A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 奚鹏博;林振祺 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在源晶圆上检测晶粒的晶粒检测方法及系统。该晶粒检测方法包括：通过一导电材料将每一该晶粒的正极与负极电性连接以形成一封闭回路；设置一线圈邻近于多个晶粒；对线圈输入一交流电压，以使线圈产生磁通量变化，其中，每一封闭回路根据磁通量变化而产生感应电动势，其中感应电动势的峰值高于晶粒的导通电压；以及判断每一封闭回路中的晶粒是否因应感应电动势而被通以感应电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 感应电动势 封闭回路 晶粒检测 线圈产生磁通量 正极 磁通量变化 导电材料 导通电压 负极电性 感应电流 交流电压 线圈输入 晶圆 邻近 检测 | ||
【主权项】：
1.一种在一源晶圆上检测晶粒的方法，其中，该源晶圆的一上表面设置有多个晶粒，该方法包含：通过一导电材料将每一该晶粒的正极与负极电性连接以形成一封闭回路；设置一线圈邻近于所述多个晶粒；对该线圈输入以一交流电压，以使该线圈产生一磁通量变化，其中，每一该封闭回路根据该磁通量变化而产生一感应电动势，该感应电动势的峰值高于该晶粒的导通电压；以及判断每一该封闭回路中的该晶粒是否因应该感应电动势而被通以一感应电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
