[发明专利]一种金属栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811415934.6 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109616515B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘晓钰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅极结构，由内向外包括：金属电极层，包围金属电极层的粘结层、第一扩散阻挡层和功函数层，设于第一扩散阻挡层以内的第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层为包括一金属层及设于金属层以内的一金属氧化物层的复合阻挡层结构。本发明还公开了一种金属栅极结构的制造方法，包括：通过常规的金属栅极工艺，在衬底沟槽中沉积形成功函数层；在功函数层之上，形成第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层之上，沉积形成金属层；在金属层表面上形成金属氧化物层，形成第二扩散阻挡层；在第二扩散阻挡层之上，沉积形成粘结层；在粘结层之上，沉积金属电极层材料，形成金属栅极。本发明有效解决了电极金属扩散的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅极结构，其特征在于，由内向外包括：金属电极层，包围所述金属电极层的粘结层、第一扩散阻挡层和功函数层；还包括：设于所述第一扩散阻挡层以内的第二扩散阻挡层；其中，所述第二扩散阻挡层为包括一金属层及设于所述金属层以内的一金属氧化物层的复合阻挡层结构。
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