[发明专利]一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811416019.9 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109244828B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李俣;彭瑞宏;黄卫平 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术，该装置包括InP衬底和InP包层，InP衬底和InP包层内设置有低折射率中心腔和位于低折射率中心腔两侧的PT布拉格反射光栅区；低折射率中心腔由低折射率材料包裹高折射率条波导构成，PT布拉格反射光栅区包括量子阱结构。本发明可实现高输出功率，同时该激光器具有能量转换效率(PCE)高、COD阈值高、激射阈值低、易散热等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 布拉格反射 低折射率 中心腔 波导 高功率半导体激光器 光栅区 衬底 制备 半导体激光器 低折射率材料 能量转换效率 高输出功率 量子阱结构 高折射率 激光器 散热 | ||
【主权项】：
1.一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器，其特征在于，包括InP衬底和InP包层，所述InP衬底和InP包层内设置有低折射率中心腔和位于低折射率中心腔两侧的PT布拉格反射光栅区，PT为宇称‑时间对称的简称；所述低折射率中心腔由低折射率材料包裹高折射率条波导构成，所述PT布拉格反射光栅区包括量子阱结构；两侧的PT布拉格反射光栅区相对于低折射率中心腔对称分布；所述PT布拉格反射光栅区从上往下包括上层、中间层和下层，所述上层为InGaAsP/InP光栅层，中间层为InAlGaAs量子阱有源层，下层为掺杂InAlGaAs/InP光栅层；具有三层结构的PT布拉格反射光栅区位于低折射率中心腔x轴的两侧，且y轴为电流注入方向，FP腔沿z轴方向。
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