[发明专利]基板处理系统以及管道清洗方法有效
申请号: | 201811416745.0 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN109285800B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 樋口鲇美;藤田惠理;吉田祥司;野村真志 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B9/027 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 基板处理系统由清洗单元、多个处理液供给单元以及基板处理装置构成。清洗单元在对管道进行清洗时向处理液供给单元的处理单元供给第一清洗液。在将从清洗单元供给的第一清洗液贮存于处理液槽内后,处理液供给单元将处理液槽内的第一清洗液通过管道供给至基板处理装置的处理单元。清洗单元以与利用第一清洗液清洗管道并行的方式准备第二清洗液,并将准备的第二清洗液供给至处理液槽。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 以及 管道 清洗 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,所述基板处理装置通过向处理室内的基板供给处理液来处理基板,其特征在于,所述基板处理装置具有:处理液供给路径,向所述处理室内的基板供给处理液,清洗液供给单元,向所述处理液供给路径供给用于清洗该处理液供给路径的清洗液,气体供给单元,从所述清洗液供给单元向在所述处理液供给路径内流动的所述清洗液连续地供给气体,所述气体的每单位时间的供给量在清洗液的每单位时间的供给量以上;所述处理液供给路径具有:贮存槽,循环路径,用于使处理液在从所述贮存槽输出后再次返回所述贮存槽,喷出路径,在前端具有喷嘴,并用于将在所述循环路径中循环的处理液喷出至基板;所述气体供给单元向在所述循环路径中循环的清洗液供给气体,向在与所述喷出路径不同的所述循环路径中循环的清洗液供给气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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