[发明专利]一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，目前，GaInP/InGaAs/Ge三结电池中Ge材料禁带宽度较小，吸收的光谱范围较宽，导致其电流密度远大于InGaAs中电池和GaInP顶电池层，造成了太阳光的利用率的损失，本发明公开了一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，它是分别在中电池和顶电池的基区中引入超晶格结构，即：本发明通过在中电池的p‑GaInAs基区层和顶电池的p‑GaInP基区层之中分别引入GaAsP/GaInAs和GaInP/AlGaInP超晶格，因而能改善电池中的电流匹配，提高电池的的抗辐照性能，同时使少数光生载流子收集效率提升，减少光生载流子的辐射复合，从而提高了空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的光电转化效率，使电池性能进一步提升。

主权项

1.一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，其特征在于：在中电池和顶电池分别引入GaAsP/GaInAs和GaInP/AlGaInP超晶格层，具体步骤如下：运用金属有机化合物化学气相沉淀设备(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)，在p‑Ge衬底上依次沉积n‑AlGaInP成核层，n‑GaAs/n‑GaInAs缓冲层，n++‑GaAs/p++‑GaAs隧穿结层，p‑AlGaAs/p‑AlGaInAs(DBR)反射层，p‑AlGaAs背场层，p‑GaInAs基区层，GaAsP/GaInAs超晶格层，n‑GaInAs发射区层，n‑AlInP窗口层，n++‑GaInP/p++‑AlGaAs隧穿结层，p‑AlGaInP背场层，p‑GaInP基区层，GaInP/AlGaInP超晶格层，n‑GaInP发射区层，n‑AlInP窗口层和n+‑GaAs欧姆接触层。