[发明专利]一种宽带倍频晶体器件在审
| 申请号： | 201811416801.0 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109283769A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王正平;孙玉祥;孙洵;许心光;任宏凯;吴志心 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/35 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种宽带倍频晶体器件，器件的材质为DADP晶体，在20‑30℃温度条件下，DADP晶体相位匹配折返点波长λc与晶体中氘含量占比XD满足线性关系：λc＝1.0272+0.1394×XD，考虑晶体的定向精度，折射率测试精度，原料纯度、生长条件、截取部位对氘含量的影响，该公式中XD的误差范围为±2％。器件的切割方向为宽带激光中心波长的倍频相位匹配方向。本发明器件能同时满足中心波长的相位匹配和中心波长附近的群速匹配，并且非线性系数大，抗光伤阈值高，工作波段宽，折返点波长易受温度调整。本发明省去了其它色散补偿元件，具有光路简单，结构紧凑，装配和调整便利，生产成本低，使用方便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 中心波长 倍频晶体 折返点 波长 宽带 匹配 色散补偿元件 相位匹配方向 非线性系数 生产成本低 折射率测试 发明器件 工作波段 晶体相位 宽带激光 切割方向 生长条件 温度调整 温度条件 线性关系 相位匹配 原料纯度 晶体的 截取 倍频 光路 群速 装配 便利 | ||
【主权项】：
1.一种宽带倍频晶体器件，其特征在于，所述器件的材质为DADP晶体，在20‑30℃温度条件下，DADP晶体相位匹配折返点波长λc与DADP晶体中氘含量占比XD满足线性关系：λc＝1.0272+0.1394×XD，氘含量占比是指氘元素占DADP晶体的质量比，单位为％；所述器件的切割方向为宽带激光中心波长的倍频相位匹配方向，即基频波与倍频波传播速度相同的方向，在此方向上晶体各处产生的二次谐波相干增强，得到最强的倍频光输出。
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