[发明专利]一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，由于顶电池和中电池与衬底Ge晶格不匹配，需要一定厚度组分渐变的缓冲层来消除失配引起的应力。本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，它是将中电池基区层组分递变，即：本发明将空间GaInP/InGaAs/Ge失配电池的中电池的p‑GaInAs基区层分为五个组分递变的递变层，递变层之间沉积组分缓变的过渡层。与常规GaInP/InGaAs/Ge失配电池相比，消除了常规失配电池较厚的缓冲层，从而达到减少成本的目的。通过优化缓冲层生长速率、厚度和ⅤⅢ比来减少位错，降低因组分变化产生的复合，以达到常规失配结构的光电转化效率。

主权项

1.一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，其特征在于：新结构中未生长常规失配电池结构中的缓冲层，在中电池基区中沉积组分递变的GaInAs层，递变层之间生长组分缓变的过渡层，具体步骤如下：提供一p‑Ge衬底，运用AXITRON公司的金属有机化合物化学气相沉淀设备，在p‑Ge衬底上依次沉积n‑AlGaInP成核层，n‑GaAs/n‑GaInAs缓冲层，n++‑GaAs/p++‑GaAs隧穿结层，p‑AlGaAs/p‑AlGaInAs(DBR)反射层，p‑GaInP背场层，p‑GaInAs基区层，n‑GaInAs发射区层，n‑AlInP窗口层，n++‑GaInP/p++‑AlGaAs隧穿结层，p‑AlGaInP背场层，p‑GaInP基区层，n‑GaInP发射区层，n‑AlInP窗口层和n+‑GaAs欧姆接触层。