[发明专利]一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它是将常规晶格匹配电池的顶电池基区改为宽带隙、带隙递变、晶格常数一致的结构，即：本发明在空间GaInP/InGaAs/Ge晶格匹配电池的顶电池基区引入宽带隙p‑Al_xGa_yIn_1‑x‑yP/GaInP材料。通过组分的变化，使得基区层带隙递减、同时各层晶格参数相同。与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池相比，本结构在抑制位错密度的同时，能增加光生载流子少子的收集效率，同时提升电池的开路电压，从而改善电池的光电转化效率。

主权项

1.一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，其特征在于：顶电池基区沉积带隙递变、晶格匹配的AlxGayIn1‑x‑yP/GaInP层，具体步骤如下：运用金属有机化合物化学气相沉淀设备技术(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)，在p‑Ge衬底上依次沉积n‑AlGaInP成核层，n‑GaAs/n‑GaInAs缓冲层，n++‑GaAs/p++‑GaAs隧穿结层，p‑AlGaAs/p‑AlGaInAs(DBR)反射层，p‑GaInP背场层，p‑GaInAs基区层，n‑GaInAs发射区层，n‑AlInP窗口层，n++‑GaInP/p++‑AlGaAs隧穿结层，p‑AlGaInP背场层，p‑AlxGayIn1‑x‑yP/GaInP基区层，n‑GaInP发射区层，n‑AlInP窗口层和n+‑GaAs欧姆接触层。