[发明专利]基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管

摘要

本发明公开了一种基于h‑BN/p‑AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管及其制备方法，要解决现有深紫外发光二极管的空穴浓度低和电流拥堵问题。其自下而上包括：衬底(1)、n型Al_xGa_1‑xN层(2)、Al_yGa_1‑yN/Al_zGa_1‑zN多量子阱层(3)和p型层(4)，其特征在于：p型层(4)采用h‑BN/p‑Al_wGa_1‑wN超晶格，即h‑BN层和p‑Al_wGa_1‑wN层交替生长，每个h‑BN层和它上面的p‑Al_wGa_1‑wN层组合起来为一个周期，共生长5‑40的周期。本发明提高了器件电导率，增加了空穴浓度，缓解了电流拥堵，从而得到发光功率高的深紫外发光二极管，可用于深紫外发光设备中。

主权项

1.一种基于h‑BN/p‑AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管，自下而上包括：衬底(1)、n型AlxGa1‑xN层(2)、AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层(3)和p型层(4)，其特征在于：p型层(4)采用由h‑BN和p‑AlwGa1‑wN按5‑40个周期交替生长的h‑BN/p‑AlwGa1‑wN超晶格，以增加空穴迁移率，降低深紫外发光二极管中的电流拥堵，提高器件发光效率。