[发明专利]基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201811421097.8 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109378373B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 周小伟;王燕丽;吴金星;李培咸;许晟瑞;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于h‑BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及其制备方法，主要解决现有深紫外发光二极管的电流泄露和低发光功率问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型Al | ||
| 搜索关键词： | 深紫外发光二极管 电子阻挡层 电流泄露 制备 空穴 紫外发光设备 多量子阱层 发光功率 发光效率 衬底层 可用 | ||
【主权项】：
1.一种基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管，自下而上包括：衬底(1)、n型Al
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