[发明专利]一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法。为了提高GaInP/GaInAs/Ge太阳能电池的抗辐照能力，目前常采用技术主要是将顶电池GaInP的厚度减薄，使电池变成顶电池限流，使辐照后中电池电流的衰减不引起整个电流的变化；另外在中电池中增加分布式布拉格反射器(DBR)结构、减薄中电池GaInAs的厚度，使的中电池GaInAs抗辐照能力增强。本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池结构相比，采用本发明技术方案的产品结构在常规GaInP/InGaAs/Ge电池中电池窗口层上沉积一定厚度、高掺杂的阻隔层材料AlGaAs，通过使中电池厚度增加，使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在中电池基区，使得中电池的累积损伤更小，从而提高了电池的抗辐射能力。

主权项

1.一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，其特征在于：在中电池窗口层上沉积2μm厚的AlGaAs阻隔层，具体步骤如下：提供一p‑Ge衬底，运用金属有机化合物化学气相沉淀设备技术(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)，在p‑Ge衬底上依次外延沉积n‑AlGaInP成核层，n‑GaAs/n‑GaInAs缓冲层，n++‑GaAs/p++‑GaAs隧穿结层，p‑AlGaAs/p‑AlGaInAs(DBR)反射层，p‑GaInP背场层，p‑GaInAs基区层，n‑GaInAs发射区层，n‑AlInP窗口层，n‑AlGaAs阻隔层，n++‑GaInP/p++‑AlGaAs隧穿结层，p‑AlGaInP背场层，p‑GaInP基区层，n‑GaInP发射区层，n‑AlInP窗口层和n+‑GaAs欧姆接触层。