[发明专利]GaN基HEMT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811421745.X | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111223777B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 谭庶欣 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法。所述制作方法包括制作形成异质结的步骤以及制作与异质结配合的源极、漏极的步骤，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极能够通过二维电子气电连接；以及还包括直接在异质结上低温原位生长绝缘层的步骤以及直接在绝缘层上原位生长第三半导体的步骤，第三半导体能够将位于其下方的二维电子气耗尽；以及，制作与第三半导体配合的栅极。本发明提供的制作方法在生长形成异质结后，降低温度，直接在异质结上低温原位生长绝缘层，可避免材料的二次污染、减小界面态密度，且能够形成无定形结构的绝缘层、消除绝缘层材料的自发极化和压电极化，对器件其它结构的生长不会造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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