[发明专利]一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811421801.X | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109412020A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程宗鸿;李亮;熊永华;吴倩;余斯佳;岳爱文 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/24;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种倒台型高速半导体激光器芯片及其制备方法，其中方法包括：在外延片表面生长SiNx掩膜层，刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型脊条，并去除外延片表面剩余的SiNx掩膜层；在外延片表面生长第一SiO2保护层，再填充BCB层，光刻固化后留下双沟与压焊电极区域的BCB，再继续生长第二SiO2保护层；去除所述脊条表面的SiO2，完成电极制作。通过填充BCB，解决了倒台电极容易发生断裂以及在倒角容易形成空洞的问题，还减小激光器寄生电容，有利于激光器获得更大的调制带宽，可调制带宽达25Ghz以上；在BCB上还覆盖一层二氧化硅，避免电极直接制作在BCB上容易掉金。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片表面 倒台型 高速半导体激光器 调制带宽 激光器 电极 掩膜层 脊条 去除 制备 生长 芯片 激光器技术领域 电极制作 二氧化硅 化学腐蚀 寄生电容 压焊电极 直接制作 再填充 倒角 光刻 减小 固化 填充 断裂 空洞 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种倒台型高速半导体激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括：在外延片(1)表面生长SiNx掩膜层(2)，并刻出双沟图形；利用化学腐蚀得到倒台型的脊条(6)，并去除剩余的SiNx掩膜层(2)；在外延片(1)表面生长第一SiO2保护层(3)，再填充一层BCB层(4)，光刻固化后留下双沟与压焊电极区域的BCB，继续生长第二SiO2保护层(5)；去除所述脊条(6)表面的SiO2，完成电极制作。
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