[发明专利]嵌入式晶圆级球栅阵列封装中的天线有效
| 申请号： | 201811422517.4 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110137088B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | P.C.马里穆图;龙昌范;A.K.虞;林耀剑 | 申请（专利权）人： | 新科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;陈岚 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件具有半导体管芯和沉积在该半导体管芯上面的封装剂。在封装剂的第一表面上面形成具有天线的第一导电层。在封装剂的第二表面上面形成具有地平面的第二导电层，其中天线位于地平面的占用空间内。在地平面上形成导电凸块。在封装剂的第一表面上面形成第三导电层。在封装剂的第二表面上面形成第四导电层。在沉积封装剂之前邻近半导体管芯设置导电通孔。天线通过导电通孔耦合至半导体管芯。利用天线和半导体管芯之间的导电通孔来形成天线。将PCB单元设置在封装剂中。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 晶圆级球栅 阵列 封装 中的 天线 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一衬底；在第一衬底上面形成地平面；在与地平面相对的第一衬底上面形成第一天线；邻近第一衬底来设置半导体管芯；将封装剂沉积在第一衬底和半导体管芯上面；以及在封装剂上面形成导电层以将半导体管芯耦合至第一天线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
