[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列结构及显示装置在审

专利信息
申请号: 201811422622.8 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN111223874A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 范亚东;张轩;徐志江;高紫龙 申请(专利权)人: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 刘诚
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供了一种薄膜场效应晶体管阵列结构,包括多排并列分布的场效应晶体管。多排并列分布的场效应晶体管具有交替间隔设置的第一排场效应晶体管和第二排场效应晶体管。第一排场效应晶体管包括多个第一场效应晶体管。多个第一场效应晶体管的栅极依次通过第一金属线串联连接。第二排场效应晶体管包括多个第二场效应晶体管。多个第二场效应晶体管为一体结构。第一金属线在第二排场效应晶体管的正投影与第二排场效应晶体管部分重叠,且第一金属线与第二排场效应晶体管绝缘设置。本申请能够减少基板中布线所占用空间,达到提高产品开口率的效果。
搜索关键词: 薄膜 场效应 晶体管 阵列 结构 显示装置
【主权项】:
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