[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列结构及显示装置在审
申请号: | 201811422622.8 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111223874A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 范亚东;张轩;徐志江;高紫龙 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供了一种薄膜场效应晶体管阵列结构,包括多排并列分布的场效应晶体管。多排并列分布的场效应晶体管具有交替间隔设置的第一排场效应晶体管和第二排场效应晶体管。第一排场效应晶体管包括多个第一场效应晶体管。多个第一场效应晶体管的栅极依次通过第一金属线串联连接。第二排场效应晶体管包括多个第二场效应晶体管。多个第二场效应晶体管为一体结构。第一金属线在第二排场效应晶体管的正投影与第二排场效应晶体管部分重叠,且第一金属线与第二排场效应晶体管绝缘设置。本申请能够减少基板中布线所占用空间,达到提高产品开口率的效果。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 场效应 晶体管 阵列 结构 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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