[发明专利]一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘在审
| 申请号： | 201811423174.3 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109280904A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘建庆;高熙隆;刘雪珍;丁杰;刘恒昌;宋欣慰 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C30B25/12 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个用于放置衬底的衬底凹槽，其中，所述衬底凹槽的槽底形成有按1～20个/cm2密度均匀分布的细孔，且所述细孔竖直贯穿石墨盘底部，利用反应室自上而下的压力差，使衬底两面在外延生长过程中始终保持有压力差，即使衬底发生翘曲，亦能被此压力差下压吸附在石墨盘表面。本发明可极大提高半导体外延片均匀性，同时，提高外延生长过程中的温度控制可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨盘 衬底 晶格失配结构 外延生长过程 外延生长 压力差 细孔 半导体外延片 密度均匀 反应室 均匀性 有压力 翘曲 竖直 吸附 下压 应用 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个用于放置衬底的衬底凹槽，其特征在于：所述衬底凹槽的槽底形成有按1～20个/cm2密度均匀分布的细孔，且所述细孔竖直贯穿石墨盘底部，利用反应室自上而下的压力差，使衬底两面在外延生长过程中始终保持有压力差，即使衬底发生翘曲，亦能被此压力差下压吸附在石墨盘表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山德华芯片技术有限公司，未经中山德华芯片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811423174.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高密度锗纳米线的制备方法
- 下一篇：微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
