[发明专利]一种单光子光源的制备方法及元器件有效
| 申请号： | 201811423197.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109713094B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王磊;李博;赵发展;韩郑生;罗家俊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种单光子光源的制备方法及元器件，其中方法包括：在衬底材料上布置二维薄膜材料；在所述二维薄膜材料上确定需要制备单光子光源的辐照位置；对所述辐照位置进行重离子辐照，以使二维薄膜材料内的原子发生碰撞产生位移点缺陷；对重离子辐照后的二维薄膜材料进行高温退火，以使辐照产生的位移点缺陷形成孤立的发光中心。通过该方法获得的单光子光源具有更高的品质，并且通过重离子辐照与高温退火方法可有效的控制单光子数，且可保证制备的单光子光源具有良好的均匀性，光源谱型好，半高宽小，背景噪声低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 光源 制备 方法 元器件 | ||
【主权项】：
1.一种单光子光源的制备方法，其特征在于，包括：在衬底材料上布置二维薄膜材料；对所述二维薄膜材料进行重离子辐照，以使所述二维薄膜材料内的原子发生碰撞产生位移点缺陷；对重离子辐照后的所述二维薄膜材料进行高温退火，以使辐照产生的位移点缺陷形成孤立的发光中心。
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