[发明专利]晶圆表面的平坦化方法在审
| 申请号： | 201811423514.2 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109545683A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 魏星;高楠;陈猛;苏鑫;徐洪涛 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层；采用氢气和HCl的混合气体对所述顶层硅层的表面进行刻蚀，所述混合气体从所述晶圆侧方通入，且边缘区域和中心区域的气体流速可通过设备参数进行调节，从而获得更好的刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 顶层硅层 混合气体 绝缘埋层 平坦化 刻蚀均匀性 边缘区域 晶圆表面 气体流速 通过设备 中心区域 氢气 圆表面 侧方 刻蚀 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆表面的平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层；采用氢气和HCl的混合气体对所述顶层硅层的表面进行刻蚀，所述混合气体从所述晶圆侧方通入，且边缘区域的混合气体流速小于中心区域的混合气体流速。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
