[发明专利]一种黄蜀葵的育苗栽培方法

摘要

本发明涉及农作物种植技术领域，具体为一种黄蜀葵的育苗栽培方法。本发明提出了一种黄蜀葵的育苗栽培方法，主要包括S1选取黄蜀葵种子、S2种子初处理、S3种子催芽、S4种子生根、S5育苗生秧、S6大田移栽、S7田间管理等步骤。本发明一种黄蜀葵的育苗栽培方法，通过科学的种植技术、以及合理的使用栽培基质、肥料，可显著提高黄蜀葵种子发芽率，促进黄蜀葵种子及秧苗根系生长，提高植株的生长速度，栽培的黄蜀葵植株高大、粗壮，成活率高。同时，本方法具有省工、节本、操作简单、易于掌握、经济效益高等优点。

主权项

1.一种黄蜀葵的育苗栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、选取黄蜀葵种子：取无虫蚀、无腐烂、成熟饱满的黄蜀葵种子，沉水撇去干瘪种粒，备用；S2、种子初处理：将选取的黄蜀葵种子，先以沼液浸泡5～15min,再用35～40℃的温水浸泡30～60min，最后取出放置在空盘中，备用；S3、种子催芽：取另一空盘，平铺一毛巾，并将初处理后的黄蜀葵种子平摊在毛巾上，然后用益富源菌种水溶液注入盘中，以浸没毛巾、未淹没黄蜀葵种子为准，最后将种盘置于32～35℃的恒温箱中培养催芽，及时补充益富源菌种水溶液，直至芽长0.5～1.5厘米时，停止催芽，备用；S4、种子生根：将催芽结束的黄蜀葵种子，以秸秆腐熟基质、基础PDA培养基的混合物为培养基，并置于温度30～32℃、湿度60％～70％的培养箱中，培养5～10天，生根结束；S5、育苗生秧：在大棚的专用苗床上，以秸秆腐熟基质与沼渣的混合物为培养基质，大棚温度控制在26～30℃，湿度控制在55％～60％，直至黄蜀葵秧苗高度至15～30厘米时，喷施矮壮素1～3次，每次间隔3～5天，育苗生秧结束；S6、大田移栽：在大田中开沟聚垄，并在地垄上挖坑，坑直径10～20厘米、坑深15～30厘米、坑间距50～70厘米，往坑中添加秸秆腐熟基质、腐熟鸡粪、沼渣的混合肥料，将S5步骤制得的黄蜀葵秧苗移栽入坑中，覆土压实，浇水定植；S7、田间管理：对未成活的秧苗要及时补齐，及时浇水，保持土壤湿润，保持良好的通风透光，及时施肥、除虫害，至采收结束。