[发明专利]一种发光二极体外延结构的制造方法及其应用有效
| 申请号： | 201811424969.6 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109273567B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;周长健;程斌;唐军;吴文超 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王华英<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种发光二极体外延结构的制造方法及其应用，包括衬底，在衬底上生长的N型半导体层，在N型半导体层上生长的多量子阱发光层，在多量子阱发光层上生长的P型半导体层，在衬底和N型半导体层之间还存在3D岛状层和2D二维层，多量子阱发光层包括多量子阱发光层的缓冲层，多量子阱发光层的阱层，多量子阱发光层的垒层；本发明所述多量子阱发光层的缓冲层的生长过程采用脉冲模式交替生长，该生长方式可以调整改善多量子阱发光层中的阱垒界面状态，降低器件缺陷密度，从而提高器件的性能。本发明还提出一种将发光二极体外延结构应用到微型发光二极管装置的制造方法中。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱发光层 发光二极体 外延结构 衬底 生长 缓冲层 微型发光二极管 应用 制造 降低器件 交替生长 界面状态 脉冲模式 生长过程 岛状层 二维 垒层 阱层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极体外延结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上生长N型半导体层；/n在所述N型半导体层上生长多量子阱发光层；/n在所述多量子阱发光层上生长P型半导体层；/n所述多量子阱发光层包括多量子阱发光层的缓冲层，多量子阱发光层的阱层，多量子阱发光层的垒层，所述多量子阱发光层的阱层生长在所述多量子阱发光层的缓冲层上，所述多量子阱发光层的垒层生长在所述多量子阱发光层的阱层上，所述多量子阱发光层的阱层和所述多量子阱发光层的垒层依序周期生长；/n其中，当生长所述多量子阱发光层的缓冲层时，三乙基镓和生长气氛中的氢气的通入量以脉冲模式通入，即所述三乙基镓的流量与不同氢气占比的生长气氛进行脉冲交替生长，所述生长气氛中的氢气在氮气/氢气/氨气总气量的占比在0.1-50％之间，生长时的操作压力在100-500torr之间；且生长所述多量子阱发光层的垒层时，氢气在氮气/氢气/氨气总气量中的占比大于5％。/n
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