[发明专利]位准移位器与半导体装置有效
| 申请号： | 201811425805.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110197694B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 冈部翔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种位准移位器，根据本发明的位准移位器包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、为本征型晶体管的一第一NMOS晶体管、为本征型晶体管的一第二NMOS晶体管、一输入端、一控制电路、一输出端。第一PMOS晶体管的一电极被供应一第一电压位准、另一电极被耦接至一第一端点、并且一栅极被耦接至一第二端点；第二PMOS晶体管的一电极被供应所述第一电压位准、另一电极被耦接至所述第二端点、并且一栅极被耦接至所述第一端点；第一NMOS晶体管的一电极被耦接至所述第一端点、另一电极被供应一第一使能信号、并且一栅极被耦接至一第一控制信号；本发明的位准移位器具有可高速运作且降低功率消耗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 移位 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种位准移位器，其特征在于，包括：一第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的一电极被供应一第一电压位准、另一电极被耦接至一第一端点、并且一栅极被耦接至一第二端点；一第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的一电极被供应所述第一电压位准、另一电极被耦接至所述第二端点、并且一栅极被耦接至所述第一端点；为本征型晶体管的一第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的一电极被耦接至所述第一端点、另一电极被供应一第一使能信号、并且一栅极被耦接至一第一控制信号；为本征型晶体管的一第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的一电极被耦接至所述第二端点、另一电极被供应具有与所述第一使能信号相反逻辑位准的一第二使能信号、并且一栅极被耦接至一第二控制信号；一输入端，用以接收具有一第二电压位准或一第三电压位准的一输入信号；一控制电路，被所述第二电压位准所驱动，用以根据所述输入信号产生所述第一控制信号及所述第二控制信号；以及一输出端，用以因应所述输入信号输出具有所述第一电压位准或所述第三电压位准的一输出信号，其中在使所述第一NMOS晶体管导通以对所述第一端点充电并经过一段既定时间后，所述第一控制信号使所述第一NMOS晶体管不导通，并且在使所述第二NMOS晶体管导通以对所述第二端点充电并经过一段既定时间后，所述第二控制信号使所述第二NMOS晶体管不导通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811425805.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
