[发明专利]金属互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811425844.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109545740A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;马亚辉 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种金属互连结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀，以形成金属沟槽；在所述金属沟槽内形成合金薄膜，所述合金薄膜覆盖所述金属沟槽的侧壁；在所述金属沟槽内填充金属材料，以形成金属互连线；其中，所述合金薄膜的材料包括Ta与防扩散金属，所述防扩散金属的扩散系数低于所述金属材料的扩散系数。本发明方案可以降低金属互连线中的电阻率以及降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属沟槽 合金薄膜 金属互连结构 金属互连线 金属互连 扩散系数 防扩散 介质层 衬底 半导体 填充金属材料 金属 金属材料 电阻率 侧壁 刻蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀，以形成金属沟槽；在所述金属沟槽内形成合金薄膜，所述合金薄膜覆盖所述金属沟槽的侧壁；在所述金属沟槽内填充金属材料，以形成金属互连线；其中，所述合金薄膜的材料包括Ta与防扩散金属，所述防扩散金属的扩散系数低于所述金属材料的扩散系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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