[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811425861.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560098A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;朱晓彤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件以及单向导通结构；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有泄电互连结构和逻辑互连结构；堆叠的至少三层光电转换层，位于所述金属互连层的表面，不同的光电转换层经由所述逻辑互连结构电连接至不同的逻辑器件；衬垫结构，位于所述堆叠的至少三层光电转换层的表面，所述堆叠的至少三层光电转换层经由所述泄电互连结构和单向导通结构与所述衬垫结构电连接。本发明方案可以将光电转换层内的光生载流子导出，降低发生图像拖尾的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 光电转换层 金属互连层 图像传感器 衬底 堆叠 三层 半导体 单向导通结构 衬垫结构 互连结构 逻辑器件 电互连 电连接 光生载流子 图像拖尾 导出 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件以及单向导通结构；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有泄电互连结构和逻辑互连结构；堆叠的至少三层光电转换层，位于所述金属互连层的表面，不同的光电转换层经由所述逻辑互连结构电连接至不同的逻辑器件；衬垫结构，位于所述堆叠的至少三层光电转换层的表面，所述堆叠的至少三层光电转换层经由所述泄电互连结构和单向导通结构与所述衬垫结构电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811425861.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
