[发明专利]具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811426233.2 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979903B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 曹佩华;陈承先;蔡承纮;张国钦;朱立寰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的至少一个凸块结构。至少一个凸块结构包括设置在衬底上方的由金属形成的柱，该金属相对于铜或铜合金与焊料相比具有更低的可焊性。焊料合金形成在比铜或铜合金具有更低的可焊性的金属的上表面正上方并且与金属的上表面接触。该柱具有大于10μm的高度。本发明实施例涉及具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；以及至少一个凸块结构，设置在所述衬底上方，其中，所述至少一个凸块结构包括：柱，设置在所述衬底上方，由金属形成，与铜或铜合金至焊料合金的可焊性相比，所述金属具有至焊料合金的更低的可焊性；以及焊料合金，形成在比铜或铜合金具有更低的可焊性的所述金属的上表面正上方并且与所述金属的上表面接触；其中，所述柱具有大于10μm的高度。
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